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Micron 7450 MAX 400 Go M.2 PCI Express 4.0 NVMe 3D TLC NAND

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Micron 7450 MAX 400 Go M.2 (22x80) NVMe PCI 4.0 SSD MTFDKBA400TFS-1BC1ZABYYR (DWPD 3)

Fonctions DWPD:3Latence de lecture:80 µsInterface:PCI Express 4.0Facteur de forme SSD:M.2Capacité du SSD:400 GoEcriture aléatoire (4 Ko):65000 IOPSSérie de produits:7450 MAXType de mémoire:3D TLC NANDNVMe:OuiPistes de données de l'interface PCI Express:x4Cryptage matériel:OuiLecture aléatoire (4 Ko):280000 IOPSComposant pour:Serveur/station de travailLatence d'écriture:15 µsVersion NVMe:1.4Charge de travail cible : Utilisation mixte (MU)Taux d'erreur binaire non corrigible (UBER) : < 1 pour 10^17 bits lus Conditions de fonctionnement Température de fonctionnement (TT) : 0 - 70 °C Principales caractéristiques \r \r Caractéristiques \r Facteur de forme SSD M.0 \r Type de mémoire 3D TLC NAND \r NVMe Oui \r Composant pour serveur/poste de travail \r Chiffrement matériel Oui \r NVMe version 1.4 \r Charge de travail cible Usage mixte (MU) \r Lecture aléatoire (4KB) 280000 IOPS \r Ecriture aléatoire (4KB) 65000 IOPS \r Temps de latence en lecture 80 µs \r Temps de latence en écriture 15 µs \r Interface PCI Express Voies de données

Prix inchangé depuis le 28/05/2026 à 14:50

Micron 7450 MAX 400 Go M.2 PCI Express 4.0 NVMe 3D TLC NAND - Neuf

Micron 7450 MAX. Capacité du Solid State Drive (SSD): 400 Go, Facteur de forme SSD: M.2, composant pour: Serveur/Station de travail

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Fiche technique

Nom du produit Micron 7450 MAX 400 Go M.2 PCI Express 4.0 NVMe 3D TLC NAND
Marque Micron
EAN 0649528924209

Conditions environnementales

Replier
Température d'opération 0 - 70 °C

Caractéristiques

Replier
Flux de données d'interface PCI Express x4
NVMe Oui
Capacité du Solid State Drive (SSD) 400 Go
Latence en écriture 15 µs
Facteur de forme SSD M.2
Type de mémoire 3D TLC NAND
Taux d'erreur non corrigeable Bit (UBER) < 1 per 10^17 bits read
Version NVMe 1.4
Le chiffrement matériel Oui
composant pour Serveur/Station de travail
Lecture aléatoire (4KB) 280000 IOPS
Interface PCI Express 4.0
Latence en lecture 80 µs
Charge de travail cible Mixed Use (MU)
Écriture aléatoire (4KB) 65000 IOPS

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