Silicon Power Mémoire Ram Xpower Zenith Rgb 1x8gb Ddr4 3200mhz

Boostez la performance multitâche de votre portable avec la Silicon Power 8GB DDR4 SODIMM alliant rapidité et fiabilité pour un usage intensif. Caractéristiques Mémoire RAM Silicon Power 8GB DDR4 SODIMM 2666MHz Conçue pour une compatibilité maximale cette mémoire s'intègre aisément dans la majorité des portables équipés de slots DDR4 SODIMM. Que vous soyez gamer technicien ou créateur de contenu elle garantit une installation sans souci et une stabilité optimale. Fonctionnant à 2666 MHz avec un voltage réduit de 1 2 V elle offre une excellente efficacité énergétique limitant la chauffe et prolongeant l'autonomie de votre appareil. Sa latence CAS 22 assure des temps de réponse adaptés aux applications exigeantes. Chaque module est rigoureusement testé pour garantir une fiabilité à toute épreuve essentielle pour les environnements professionnels gaming mobile ou stations de travail portables. Sa capacité de 8 Go permet un multitâche fluide même avec des logiciels lourds comme la virtualisation ou le montage 3D....

Conçue pour aider votre système à fonctionner plus rapidement et plus facilement cette série DDR4 SODIMM offre une vitesse très rapide allant jusqu’aux 3200 MT/s. De plus la technologie DDR4 est jusquà deux fois plus rapide que son prédécesseur la DDR3 offrant plus de bande passante et une meilleure efficacité énergétique. Une simple mise à niveau permet daccélérer le temps de chargement des applications daugmenter la réactivité et de gérer facilement les programmes à forte densité de données.

Format de la mémoire : SO-DIMM (PC Portable) / Type de la mémoire : DDR4 / Nombre de barrettes : 1 / Capacité mémoire : 8 Go

SILICON POWER DDR4 8 GB 2666 MHz CL19 SODIMMFabricantSILICON POWER & COMMUNICATION COMPUTERNuméro de pièce du fabricantSP008GBSFU266X02Caractéristiques du produit De plus, la technologie DDR4 est jusqu'à deux fois plus rapide que son prédécesseur DDR3, offrant une plus grande bande passante et une meilleure efficacité énergétique. Une simple mise à niveau permet un chargement plus rapide des applications, une réactivité accrue et la possibilité de travailler facilement avec des programmes gourmands en données.Mémoire supplémentaire et économies d'énergie supplémentaires L'augmentation de la mémoire est un remède facile pour un PC lent, mais elle peut également augmenter la consommation d'énergie et la charge matérielle globale du système. Cela permet de réduire la consommation d'énergie par rapport au précédent module DDR3 de 1,5V. En outre, une meilleure dissipation de la chaleur permet à l'ordinateur de fonctionner à des températures plus basses,qui garantit une plus grande stabilité et une plus longue durée de vie du ma

SILICON POWER - DDR4 - module - 8 Go - SO DIMM 260 broches - 2666 MT/s / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - mémoire sans tampon - non ECC

Silicon Power SP008GBSFU266X02. composant pour: Ordinateur portable, Mémoire interne: 8 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 8 Go, Type de mémoire interne: DDR4, Fréquence de la mémoire: 2666 MHz, Support de mémoire: 260-pin SO-DIMM, Latence CAS: 19 RAM / Technologie=DDR4;En-tête / Fabricant=Silicon Power;Type de Produit=Mémoire RAM;Tranche de poids=100 à 250 g;Titre=Silicon Power SP008GBSFU266X02 module de mémoire 8 Go 1 x 8 Go DDR4;RAM Capacité=8 Go;RAM / Vitesse de Mémoire=1333 MHz

Fiche d'information : SILICON POWER - DDR4 - module - 8 Go - SO DIMM 260-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - sans tampon - non-ECC Groupe RAM Fabricant Silicon Power Fabricant Art. No. SP008GBSFU266X02 Modèle SILICON POWER EAN/UPC 4713436143956 Description du produit : SILICON POWER - DDR4 - Module - 8 Go - SO DIMM 260-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - sans tampon Type de module de mémoire Capacité 8 Go Type de mémoire DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-PIN Type d'extension Générique Contrôle de l'intégrité des données Non-ECC Vitesse 2666 MHz (PC4-21300) Temps de latence CL19 Caractéristiques de performance Sans tampon Tension 1.2 V Détails généraux Capacité 8 Go Type d'extension générique Mémoire Type de DRAM Module de mémoire Technologie DDR4 SDRAM Facteur de forme SO DIMM 260-PIN Vitesse 2666 MHz (PC4-21300) Temps de latence CL19 Contrôle d'intégrité des données Non-ECC Particularités non tamponnées Tension 1.2 V Divers Marquage FCC, RoHS, WEEE, Green Dot, JEDEC.

SEAGATE IRONWOLF ST4000VN006 4TO produit ORIGINAL